いよいよ大詰めで終段の話です。
此処でコケたら今迄の事が水の泡になりますね。
一応、線引きした予定基本性能は・・・
IMD3：1W/-60db
最大出力：5W
キャリアサプレッション： -60db
逆サイドサプレッション： -60db
（あくまでも予定であり結果ではないです）
電源電圧 13.8Vで、此の性能を達成出来るデバイスは多くは有りません。
安価で手に入りやすい事を考えると RD16HHF1 になります。
まあ、私の個人的好みですが・・・。
何時もの変り映えしない配線図を下に貼って置きます。
入力が 50mW前後で出力が 5W程ですから、パワーゲインは 20dbで宜しいかと・・・。
細かな調整はフィードバック抵抗 100ohmで加減します。
そして歪は 200ohmトリマ抵抗によるアイドリング電流調整で追い込みます。
今回は今まで余り見せなかった、実際の製作場面を・・・
出力側トランス作り
TDKの小さいパッチンコアを２個ばらします
次に接着剤でメガネコアにします
ケースに見合うヒートシンク上に一刀彫基板とＦＥＴを乗せて・・・
先程作ったメガネコアを取り付けます
ごく普通のビニール線で然るべき巻数を・・・
入力部分はサブ基板で作り、ＦＥＴの上に乗せます
その他の部品を付け周りを銅板で囲いますが、サブ基板のアースはメイン基板アースと同値にするために、その銅板に直付けします。
この状態で色々調整し、納得したら銅板でフタをして・・・
出来上がりました
斜め横からですが、寸法はＹＭ１５０に収まるように小さく作りました。
後は YM150ケースに、他の基板と一緒に実装となりますが、其れは次回のお楽しみと云う事で・・・
by JA1QVM